Mekanisme for PECVD-filmdannelse
May 08, 2024| Mekanisme for PECVD-filmdannelse
• SiNx isolasjonsfilm: Blandingen av SiH4, N2 og NH3 brukes som reaksjonsgass, og filmen dannes på underlaget av glødutladningsgenererende plasma.
• Si:H: SiH4-gass slippes ut ved glød i reaksjonskammeret, og etter en rekke primære og sekundære reaksjoner genereres mer komplekse reaksjonsprodukter som ioner og barneaktive grupper, og til slutt produseres A-Si :H-film og avsatt på underlaget. Noen nøytrale produkter, som SiHn(n:0~3), er direkte involvert i filmdannelsesveksten.
Når filmen vokser, hvis den første filmdannende prosessen tas, vil defektene i filmvekstprosessen fortsette å vokse langs den filmdannende retningen, og dermed eksponere overflaten.
På samme tid, fordi defektene ved lavhastighetsfilmdannelse er mindre enn de ved høyhastighetsfilmdannelse, kan det oppnås ved å oppnå tett A-Si :H-film (anta 2000 A) i Bottom Gate-mekanismen. først vokser 300A ved lav hastighet og deretter 1700 A ved høy hastighet. Der 300 A er TFT-kanalen (noen av defektene forårsaket av det første trinnet dekkes av det andre trinnet). To-trinns filmdannende metode kan også brukes for produksjon av isolerende lag.
IKS PVD-selskap, dekorativ belegningsmaskin, verktøybeleggingsmaskin, DLC-beleggingsmaskin, optisk belegningsmaskin, PVD-vakuumbeleggingslinje, nøkkelferdig prosjekt er tilgjengelig. Kontakt oss nå, e-post: iks.pvd@foxmail.com