Medium frekvens magnetron sputtering belegg teknologi

Medium frekvens magnetron sputtering belegg teknologi

Magnetron forstøvning inkluderer mange typer. Hver har forskjellig arbeidsprinsipp og anvendt objekt. Men de har en ting til felles: De bruker magnetfelt til å samhandle med elektroner, noe som får dem til å spiral rundt målflaten, noe som øker sannsynligheten for at de vil ramme argon for å produsere ioner. De genererte ioner kolliderer med målflaten under virkningen av elektrisk felt og spruter målmaterialet. I de siste tiårene av utviklingen, adopterer folk gradvis permanente magneter, sjelden spiralmagneter.

Målkilden er delt inn i balansert og ikke-balansert, balansert målkildebelegg. Ensartet, ikke-balansert målkildebelegg filmlag og matrise bindende kraft er sterk. Balanserte målkilder brukes mest i halvlederoptiske filmer, mens ikke-balansert mål hovedsakelig brukes i slitte dekorative filmer.

Uansett likevekt eller ikke-likevekt, hvis magneten er stasjonær, bestemmer dens magnetfeltegenskaper at den generelle målmateriellutnyttelseshastigheten er mindre enn 30%. For å øke utnyttelsesgraden for målet kan det roterende magnetfeltet benyttes. Imidlertid krever roterende magnetfelt rotasjonsmekanisme, og sputteringshastigheten bør reduseres. Det roterende magnetfeltet brukes mest for store eller verdifulle mål. Slike som halvledere film sputtering. For lite utstyr og generelt industrielt utstyr, bruk av statisk magnetfelt målkilde.

Sputtering av metaller og legeringer med en magnetron målkilde er lett, og tenning og forstøvning er enkle. Dette skyldes at målet (katode), plasma og sprutede deler / vakuumhulrum kan danne en sløyfe. Men hvis sputterisolatoren som keramikk er kretsen ødelagt. Så folk bruker høyfrekvente strømforsyningen, kretsen legger til meget sterk kapasitans. Dermed blir målet en kondensator i den isolerte kretsen. Spenningsforsyningen med høyfrekvent magnetron er imidlertid dyr, sputteringshastigheten er svært liten, og jordingensteknologien er svært kompleks, så det er vanskelig å bli brukt i stor skala. For å løse dette problemet ble magnetronreaktiv sputtering oppfunnet. Dette er et metallmål med argon og reaktive gasser som nitrogen eller oksygen tilsatt. Når et metallmål kolliderer med en del, kombineres det med reaksjonsgassen for å danne nitrider eller oksider på grunn av energiomdannelse.

Magnetron reaktiv sputtering isolatorer virker lett, men er vanskelige å betjene. Hovedproblemet er at reaksjonen ikke bare skjer på overflaten av delen, men også på anoden, overflaten av vakuumhulen og overflaten av målkilden. Dermed forårsaker brannslukningen, målkilden og arbeidsstykkets overflate og så videre. Twin-målkildeteknologien oppfunnet av Tyskland laibao løser dette problemet godt. Prinsippet er at et par målkilder er anode og katode for å eliminere anodisk overflateoksydasjon eller nitrering.

Kjøling er nødvendig for alle kilder (magnetron, multi-arc, ion) fordi en stor del av energien omdannes til varme, som, hvis den ikke er avkjølt eller ikke avkjølt nok, vil smelte hele målkilden ved en temperatur på mer enn en tusen grader.

En magnetisk kontrollanordning er ofte veldig dyr, men folk har en tendens til å bruke penger på annet utstyr som vakuumpumpe, MFC, filmtykkelsesmåling og ignorere målkilden. En god magnetron sputtering enhet uten en god målkilde er som å tegne en drage uten et poeng.

Fordelene ved mellomfrekvenssputtering er jevn og tett, høy hardhet av filmlag, lineær vekst av filmtykkelse, giftfri, mild temperaturøkning, men kravene til utstyr er høye, arbeidstrykkområdet er svært smalt og ulike kontroller kravene er raske og nøyaktige.

Multi-arc sputtering påførte liten spenning og stor strøm på målmaterialet for å ionisere materialet (positivt ladede partikler), og dermed å trykke substratet (negativt ladet) ved høy hastighet og avsetting, og danner en tett filmhard film. Hovedsakelig brukt til slitesterk og korrosjonsbestandig film. Ulempen er at filmen ikke er jevn, kavitasjon og ablation.

Prinsippet om mellomfrekvenssputtering med generell DC-sputtering er den samme, forskjellen er dc sputtering sylinderen når anoden og mellomfrekvenssputtering er i par, tønne om det er til stede, avhenger av den overordnede utformingen og hele systemutspyttingsprosessen, anoden, katodenes arrangement, det er mange måter å delta i forholdet mellom syklusen, forskjellige måter med forskjellig forstøvningsutbytte kan oppnås, er ikke den samme iontetthet

Den viktigste teknologien om sputtering ligger i design og bruk av strømforsyning. Foreløpig er sinusbølge og pulsfirkantbølge to typer utgangsmoduser, som har sine egne fordeler og ulemper. For det første bør typer filmlag vurderes for å analysere hvilken type strømforsyningsutgangsmodus som passer for hvilket filmlag.

Intermediate frekvens sputtering er også en slags magnetron sputtering, generell magnetron sputtering mål design, design av magnetfeltet er nøkkelen til den ulike teknologien, den internasjonale flere kjente produsenter av sputtering målet, for utformingen av målet magnetfelt er profesjonell, endre magnetfeltdesign kan få forskjellig plasmafordampning. Stien til elektronen, fordelingen av plasmaet, så er de tekniske hemmelighetene til sputtering målmagnetfeltet.

Når det gjelder katodebue (dvs. ionplating), magnetronsputtering og smeltedigelavdamping, alle tilhører PVD (fysisk dampavsetning), er fordampdampen hovedsakelig en faseendring, og fordampningsmålet har bare noen få elektronvolter av energi. Derfor er filmadhesjonen liten, men høy avsetningshastighet, hovedsakelig brukt for optisk belegging. Ved magnetronsputtering forstyrrer argonioner på målmaterialet å sette atom- og molekylfragmenter på delene, og den kinetiske energien til målmaterialet kan nå hundrevis eller til og med tusenvis av elektronvolt. Det er en ekte nøytral nano-nivå belegg. Etter katodens bueforming smelter metallurgi av materialet ved målflaten ved høy temperatur, og deretter smelter det smeltede materialet nesten fullstendig av det sterke elektriske feltet, og filmen dannes under den kombinerte virkning av målstrømforsyningen og partielt partialtrykk. Det ser ut til at katodens bueforming er mer avansert, faktisk er det ikke. Først av alt er måloverflatesmeltingsprosessen tilfeldig og ukontrollabel, og ioner blir avsatt i delene. Ensartet og glatt plating er vanskelig å garantere. Generelt sett er katodebøyning en sveiseprosess under vakuum. Prinsippet om katodebueforsyning og sveisetilførsel er svært lik. Katodebue-teknologien er hovedsakelig opprinnelig fra den tidligere sovjetunionen. Det er populært i Kina av ulike grunner. Men teknologien er bedre. I de senere år har filtreringskatodebue-teknologien utviklet seg raskt, noe som unngår ulempen ved ujevn filmdannelse. Noen gevinster må imidlertid gå tapt, og filtreringen reduserer avsetningshastigheten og øker utstyrskostnaden.

Mellomfrekvent magnetronsputtering krever høyt mål- og magnetfeltdesign samt arbeidstrykk. Mellomfrekvensmagnetronforstøvning er 2 til 3 ganger dc magnetronsputteringavsetningshastighet. Mellomfrekvensmagnetronforstøvning brukes til to mål for å fremstille sammensatte filmer. På grunn av den lave ioniseringshastigheten er det vanskelig å finne et optimalt forgiftningssted, og flytkontrollen til arbeidsgassen er svært streng. Hvis kontrollen ikke er god, er det vanskelig å lage en jevn og god adhesjonsfilm. Og designet er hovedsakelig ensartet av magnetfeltfordeling av magnetfeltet kan forbedre utnyttelsesgraden av målmaterialet, så i tillegg til stabiliteten av den beste forgiftningen, har noe arbeid også mye for å forbedre magnetronsputteringens ionenergi og diffraksjon er Langt under buen målflaten, og avstanden til arbeidsstykket er viktig, for nær ionbombardement av gjenstander kan skade membranlaget, for langt er avviket fra det optimale sputteringbelegget bindende kraften til forberedelsen av avstanden svært dårlig

Målmaterialet til if brukes til mål, noen av dem brukes til tre par. Målet er relativt stort, for hvis de fleste brukes til metallbelagte arbeidsstykker. En slik vakuumovn blir vanligvis større, som kan legge ned mange oppgaver, og det belagte filmlaget er tykkere.

Er du interessert i Medium Frequency magnetron sputtering belegg maskin, kontakt med IKS PVD nå, iks.pvd @ foxmail.com

Kan om forstøvning arbeide ved lavvakuum? Det er ikke noe problem. Vår nåværende tidsplan er 8,0 * 10-2pa.

Hva er innflytelsesfaktorene for TiN-filmfarge ved om sputtering? Hva er effekten av forspenning på L, a og b?

Bias har mye å gjøre med farge,

Effekt av forstøvningstrykk (argon) på L, a og b verdier?

Dette problemet er komplisert, noe som er relatert til ioniseringshastighet, trykk og målavstand sammenkoblingsmodus. Det kan ta ganske lang tid å systematisere meget klare data. Sputtering gass og farge skal sies å være bestemt av sputtering mengde produsert, som påvirker forholdet med reaksjonsgassen og har innvirkning på fargen

Er det mulig å bruke ammoniakk i reaktiv forstøvning? Ja.