For å beregne brytningsindeksen og utryddelseskoeffisienten til TiO2-filmen basert på konvoluttmetoden

For å beregne brytningsindeksen og utryddelseskoeffisienten til TiO2-filmen basert på konvoluttmetoden, bør absorpsjonskoeffisienten i materialet ikke være for stor, ellers vil det påvirke den endelige overføring av filmproduktet og redusere den optiske ytelsen til produktet; Samtidig bør brytningsindeksen ikke være for lav, ellers vil bredden på cut-off-båndet bli påvirket. Foreslått av Manifacier i 1976, baoluo linje metoden er å beregne optiske film parametere av filmlaget ved å invertere senderen (eller refleksjon) ekstrem verdi på optisk tykkelse av filmlaget til heltall multipler av lambda / 4. I den faktiske målingen er maksimalt T /2-punkt og minimum T /4 overføringspunkt koblet til to konvoluttlinjer, Tmax() og Tmin(). Deretter oppnås senderen T /2 og T /4 ved enhver bølgelengde ved å ta punkter på konvoluttlinjen. Til slutt beregnes utryddelseskoeffisienten og brytningsindeksen til filmlaget ved hjelp av senderenekstrem verdi, og tykkelsen på filmlaget beregnes i henhold til den beregnede verdien av brytningsindeks og bølgelengden til det ekstreme punktet.

Måleprosessen av metoden er enkel, metoden kan samtidig måle filmbrytningsindeks, utryddelseskoeffisient og tykkelse på måleprosessen trenger ikke å kontakte filmprøvene, prøvebeskyttelse, er et ideelt sammenligning av alle typer metoder for utstyrstestresultater, hvis den brukes riktig, kan være som en måte å bestemme filmen alle optiske konstanter. Den lineære brytningsindeksen n og tykkelseN på filmen ved bølgelengde beregnes ved hjelp av konvoluttmetoden.

Hvor:

n0 og n1 er henholdsvis refraktiv indeks av henholdsvis luft og base; Tmax og Tmin er maksimal og minimum overføring ved bølgelengde; Lambda 1, lambda 2 og n(lambda 1), n(lambda 2) tilsvarer bølgelengden og brytningsindeksen til henholdsvis to tilstøtende topper eller daler i transmisjonskurven. Brytningsindeksen og utryddelseskoeffisienten til TiO2-filmen ble beregnet ved hjelp av Macleod-programvaren. Som det kan ses fra figuren (a) nedenfor, er spektralområdet uv-synlig og nær-infrarød, og brytningsindeksen for alle 4 prøvene reduseres. Den brytningsindeks for eksempel nr.1 i bandet på 400 ~ 1000 nm er mellom 2,50 ~ 2,15. Den brytningsindeksen for prøvenr. 2 og prøvenr.

Fra figuren (b) ovenfor kan det ses at prøve nr. Det kan være kjent at lavprisoksider av metall Ti produseres, på grunn av utilstrekkelig oksygentilførsel. Maksimal overføring av prøve nr. 2 ble betydelig forbedret, og utryddelseskoeffisienten var i utgangspunktet under 2,5×10-3, som fortsatt hadde innvirkning på den endelige overføring av spekteret. Utryddelseskoeffisientene til spektra av prøve nr. 3 og prøve nr. 4 er i størrelsesorden 10-4, og effekten på den endelige transmisjonen av spektra er i utgangspunktet ubetydelig. Nr. 1 og nr. 2 utryddelseskoeffisienten i prøven med bølgelengde øker, de to andre grunnleggende varierer ikke med bølgelengde utryddelseskoeffisienten i prøven, under tilstanden til vakuumgraden, nr. , og utryddelseskoeffisienten til Ti er riktig er bølgelengden øker.

Gjennom sammenligningen av de fire prøvene ble det funnet at med økningen av oksygenstrømmen, ble vakuumgraden av plating redusert, og brytningen av TiO2-filmen økte først og deretter redusert. Gjennom økningen av oksygenøkning etter oksygenioner av ioniseringskilde, vil øke iontetthetsbombardementsfilmen, lage mer tett membranlag, og dermed forbedre filmens brytningsindeks, når mengden fylling av oksygen et ytterligere øker, men et relativt lavt vakuumplatingsystem, overflødig oksygenmolekyler og TiO2 membranmolekylær kollisjon, reduserte TiO2 membranmolekylær kinetisk energi , slik som å gjøre avsetning av TiO2 tynnfilm molekylær migrasjon rate er redusert, tettheten av membranlaget, har ytterligere redusert brytningsindeksen av tynne filmer. Hvis mindre oksygen, nemlig vakuumplatingsystemet er høyt, forårsaker også at oksygenmengden er mindre, kan ikke levere Ti2O3 forventes å dekomponere i fordampningstap av oksygeninnhold, årsaken til plating filmsammensetning har lavt oksid som inneholder titanoksid, påvirker de optiske egenskapene til tynne filmer, så valget av passende fluks oksygen for TiO2 optisk tynn filmplatingsystem er svært viktig.

IKS-OPT2700 optisk E-gun vakuum belegg maskin,flere detaljer, kontakt: iks.pvd@foxmail.com