Hva er målet forgiftning i magnetron sputtering? Hva er de generelle påvirker faktorene?

Hva er målet forgiftning i magnetron sputtering? Hva er de generelle påvirker faktorene?

Først: dannelsen av målet overflaten metall forbindelser.

Hvor er sammensatt dannet fra metall målet gjennom reaktive sputtering? Reaktiv partikler kolliderer med målet atomer å produsere kjemiske reaksjoner å danne sammensatte atomer, som vanligvis eksoterm reaksjoner, kan ikke reaksjon dannelse varmen må ha en måte å drive ut, ellers den kjemiske reaksjonen fortsette. Varmeledning mellom gasser er umulig under vakuum forhold, så kjemiske reaksjoner må skje på en solid overflate. Reaktiv sputtering produkter utføres på målet overflaten, substrat overflate og andre strukturelle overflater. Generering av forbindelser på substrat overflate er vårt mål. Generering av forbindelser på andre strukturelle overflater er en sløsing med ressurser. Generering av forbindelser på målet overflaten er opprinnelig en kilde til sammensatte atomer, men senere blir et hinder for kontinuerlig tilførsel av mer sammensatte atomer.

Sekund, påvirker faktorer av målet forgiftning

Målet forgiftning er hovedsakelig påvirket av andelen reaktive gass og sputtering gass. Under reaktive sputtering, sputtering kanalen området på målet overflaten er dekket av reaktive produkter eller reaktive produktene er strippet og metalloverflate er igjen utsatt. Hvis formasjon sammensatte er større enn som sammensatte er strippet, øker sammensatte dekningsområdet. I en viss makt, mengden av reaktive gasser involvert i dannelsen av den sammensatte øker og prisen for dannelse av den sammensatte øker. Hvis reaktive gass antallet øker overdrevet og sammensatte dekningsområdet øker, hvis reaktive gasstrømmen ikke kan være riktig justert, veksten av sammensatte dekningsområdet vil ikke bli hemmet, og sputtering kanalen blir ytterligere dekket av sammensatt. Når sputtering målet er helt dekket av sammensatt, vil målet være helt forgiftet.

Tredje: målrette forgiftning fenomen

(1) positivt ion akkumulering: når målet er forgiftet, en isolerende film dannes på overflaten mål. Når de positive ionene når katoden målet overflaten, kan de skrive inn katoden målet overflaten direkte grunn barrieren for isolasjon laget. I stedet settes de på overflaten mål som er sannsynlig å produsere bue utslipp---bue slående i feltet kaldt gjør katoden sputtering kan ikke fortsette. (2) anodic forsvinning: når målet er forgiftet, isolerende filmen er avsatt på vakuum chamber veggen av bakken, og elektroner nå anoden kan ikke angi anoden, danner anodic forsvinning fenomen.

Fjerde: fysisk forklaring på målet forgiftning

(1) generelt, er sekundær electron utslipp koeffisient av metall forbindelser høyere enn metal. Etter målet forgiftning, er overflaten av målet materialet alle metall forbindelser. Etter blir bombardert av ioner, utgitt antall sekundære elektroner øker, som forbedrer permeabilitet av plass, reduserer motstanden av plasma og fører til reduksjon av sputtering spenning. Sputtering hastigheten reduseres. Vanligvis er sputtering spenningen fra magnetron sputtering mellom 400V og 600V. Når målet forgiftning oppstår, vil sputtering spenningen bli betydelig redusert. (2) sputtering metall målet er forskjellig fra sammensatte mål. Sputtering koeffisient av metall er generelt høyere enn for sammensatte, så sputtering satsen er lavere etter målet forgiftning. (3) sputtering effektiviteten av reaktive sputtering gass er lavere enn inert gass, så integrert sputtering hastigheten reduseres etter andelen reaktive gass øker.

Femte: løsningen av målet forgiftning

(1) frekvens strøm eller rf makt.

(2) lukkede løkke er vedtatt for å kontrollere inntak antall reaktive gass.

(3) vedta twin mål

(4) kontroll av belegg modus: hysteresis effekt kurven av målet forgiftning samles før belegg, slik at inntak flyten kontrolleres foran målet forgiftning, og prosessen er alltid i modus før deponering prisen faller kraftig.

Det er relativt enkelt å Dale metall atomer på overflaten av målet. Krever vanligvis radiofrekvens sputtering.

Ion bombardement gjør metall atomer på overflaten av målet veldig livlig. På denne tiden, er målet overflaten under både sputtering og reaksjon på skjemaet forbindelser. Hvis sputtering kursen er større enn sammensatte generasjon, er målet i metall frese staten. Derimot hvis reaksjon gasstrykket øker eller reduserer metall sputtering rate, kan målet plutselig har en sammensatt formasjon overstiger sputtering hastigheten og stoppe sputtering.

For å redusere målet forgiftning, teknikere ofte bruker følgende: (1) send reaktive gass og sputtering gass henholdsvis til underlaget og nær målet til skjemaet trykkgradient; (2) øke eksos rate; (3) gass puls Innledning; (4) plasma avlytting, etc.

Målet forgiftning er forårsaket av positive ioner på overflaten av målet under sputtering, som ikke er nøytralisert. Som et resultat, avtar negativ bias press på overflaten av målet gradvis. Endelig er mål forgiftning bare sluttet å fungere.

Hovedårsaken til målet forgiftning er at syntese hastigheten på mediet er større enn sputtering avkastningen (mye oksidasjon reaksjon gass injiseres), som resulterer i tap av ledende dirigent målet. Bare når sammenbrudd spenningen forbedret kan målet skinne, spenningen er for høy og bue utslipp oppstår lett. Fenomen: mål spenningen når ikke normal i lang tid, og det er alltid kjører på lav spenning, ledsaget av arc utslipp. Overflaten av målet viser hvit tilhengere eller tungt pin-formet grå utflod spor. Hvis målet forgiftning elimineres, bør frekvens strømforsyningen eller rf strømforsyning brukes i stedet for dc strømforsyning. Redusere inntaket av reaktive gass, øke sputtering, rengjøring forurensninger på målet materialer (spesielt Oljeforurensning), og velge støv og bue slukke dekk med god vakuum ytelse kan effektivt hindre mål forgiftning. Magneten dynket i kjølevann inne i målet materialet har flekker. Magnetisk feltstyrke er tilstrekkelig og de avkjølende effekten er bra, har det liten innflytelse på i målet materialet.

Besmirch effekten er ikke store ~ strike brann å ha isolasjon sted for å forårsake, er det lokale gift vanligvis eller skitt. Målet forgiftning er lav tetthet, og forhold til overflødig reaktive gass kan ikke fordampet (eller sprayet) i tid, som vil resultere i gjenværende overflaten av mål, resulterer i redusert elektrisk ledningsevne, dermed inn giftig staten . Lys kan ikke glød, tunge skrap makt.

IKS PVD tilpasset egnet PVD vakuum belegg maskinen for deg, ta kontakt med oss nå.

IKS.PVD@foxmail.com