Grunnleggende prinsipper for PECVD-prosessen

PECVD-teknologi bruker lavtemperaturplasma for å generere glødeutladning på katoden til prosesskammeret (det vil si brettet der prøven er plassert) ved lavt trykk, og bruker glødeutladning (eller et annet varmelegeme) for å varme opp prøven til en forhåndsbestemt temperatur, og passerer deretter en passende mengde prosessgass, som passerer gjennom en rekke kjemiske reaksjoner og plasmareaksjoner, og til slutt danner en fast film på overflaten av prøven. Det skjematiske diagrammet over prosessprinsippet er vist i figur 1. I reaksjonsprosessen kommer reaksjonsgassen inn i ovnshulrommet fra luftinntaket og diffunderer gradvis til overflaten av prøven. Under påvirkning av det elektriske feltet stimulert av radiofrekvenskilden, brytes reaksjonsgassen ned til elektroner, ioner og aktive grupper. Disse nedbrytningsstoffene gjennomgår kjemiske reaksjoner for å danne de første komponentene i filmen og bireaktantene, som adsorberes til overflaten av prøven i form av kjemiske bindinger for å danne en fast filmkjerne, som gradvis vokser til en øy, og øya fortsetter å vokse til en kontinuerlig film. Under filmvekstprosessen løsnes ulike biprodukter gradvis fra overflaten av filmen og slippes ut fra utløpet under påvirkning av vakuumpumpen.

IKS PVD-selskap, dekorativ belegningsmaskin, verktøybeleggingsmaskin, DLC-beleggingsmaskin, optisk belegningsmaskin, PVD-vakuumbeleggingslinje, nøkkelferdig prosjekt er tilgjengelig. Kontakt oss nå, e-post: iks.pvd@foxmail.com